liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網(wǎng)站首頁
關(guān)于我們
公司簡介
企業(yè)文化
專利證書
產(chǎn)品展示
半導(dǎo)體工藝設(shè)備
化合物半導(dǎo)體設(shè)備
新聞資訊
公司新聞
行業(yè)資訊
合作伙伴
工程團(tuán)隊(duì)
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯(lián)系我們
English
產(chǎn)品分類
氧化/擴(kuò)散/退火
立式爐
SiC高溫氧化爐
SiC高溫退火爐
臥式爐
CVD設(shè)備
立式LPCVD
臥式LPCVD
化合物晶體設(shè)備
SiC單晶生長設(shè)備
PVT法長晶爐
液相法長晶爐
籽晶粘接設(shè)備
GaN單晶生長設(shè)備
Ga2O3單晶生長及外延設(shè)備
導(dǎo)模法長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
HVPE外延爐
金剛石單晶生長設(shè)備
GaAs / InP 單晶生長設(shè)備
聯(lián)系方式
地址：濟(jì)南市槐蔭區(qū)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園
電話：15562450816
郵箱：liguan1218@163.com
專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實(shí)現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝?？墒褂肙2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝：氧化
在線留言
擴(kuò)散/氧化/退火
Ga2O3單晶生長設(shè)備
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網(wǎng)站建設(shè)：中企動(dòng)力 濟(jì)南二分 | 標(biāo)簽 | 營業(yè)執(zhí)照 | 城市分站
