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SiC高溫氧化爐


所屬分類:

氧化/擴(kuò)散/退火

半導(dǎo)體工藝設(shè)備

SiC高溫氧化爐


概要:

專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝,可實現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O,NO,NO2或濕法氧化,采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝:氧化


關(guān)鍵詞:

SiC高溫氧化爐



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