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產(chǎn)品分類
氧化/擴(kuò)散/退火
立式爐
SiC高溫氧化爐
SiC高溫退火爐
臥式爐
CVD設(shè)備
立式LPCVD
臥式LPCVD
化合物晶體設(shè)備
SiC單晶生長設(shè)備
PVT法長晶爐
液相法長晶爐
籽晶粘接設(shè)備
GaN單晶生長設(shè)備
Ga2O3單晶生長及外延設(shè)備
導(dǎo)模法長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
HVPE外延爐
金剛石單晶生長設(shè)備
GaAs / InP 單晶生長設(shè)備
聯(lián)系方式
地址：濟(jì)南市槐蔭區(qū)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園
電話：15562450816
郵箱：liguan1218@163.com
坩堝下降爐
本設(shè)備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長。設(shè)備由機(jī)架、安瓿支撐機(jī)構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成，能夠?qū)崿F(xiàn)安瓿移動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)的精確控制。
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擴(kuò)散/氧化/退火
Ga2O3單晶生長設(shè)備
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