產(chǎn)品分類(lèi)
聯(lián)系方式
液相法長(zhǎng)晶爐
所屬分類(lèi)：
SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備
液相法長(zhǎng)晶爐
概要：
液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng)，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。
關(guān)鍵詞：
液相法長(zhǎng)晶爐
液相法長(zhǎng)晶爐
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)。液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng)，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。
This equipment is mainly used for the single crystal growth of siliconcarbide(SiC) .LPE method enables the growth of SiC single crystals below much lower temperatures (<2000°C), which theoretically makes it easier to obtain high-quality single crystals. The temperature gradient is utilized as a growth driver to achieve crystal growth.
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：
提供2英寸驗(yàn)證工藝
Provide 6-8 inches validation process
♦ 晶體尺寸:6/8英寸
Crystal size: 6/8 inches
♦ 溫度范圍：溫度1500-2100℃
Temperature range: 1500-2100 ℃
♦ 真空度:1*10-3pa
Vacuum Pressure: 1 * 10-3pa
♦ 提拉/坩堝桿：升降0.2-400mm/h，旋轉(zhuǎn)0.5-50rpm
Lift/crucible lever: lift rate 0.2-400mm/h, rotation rate 0.5-50rpm
♦ 稱(chēng)重：6kg 精度：0.01g
Weighing: 6kg, accuracy 0.01g
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